BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC036NE7NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC036NE7NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS ROHS3 Compliant Compliant
רמת MSL 1 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
מספר פינים — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר