BSC0504NSIATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0504NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC021N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0504NSIATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
पैकेज PG-TDSON-8-6 SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
थर्मल रेज़िस्टेंस [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS स्थिति unknown Compliant (Pb-free)
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
MSL स्तर — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

डेटाशीट और संसाधन

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