BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC059N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon और BSC014N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC059N04LS6ATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | 59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 5.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Total Power Dissipation at TC=25C | 38 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 38 A at TC=25C | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 236 A at TC=25C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 156 W |
| MSL स्तर | — | 1 |