BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRFR5305TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC060P03NS3EGATMA1 द्वारा Infineon और IRFR5305TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC060P03NS3EGATMA1 | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55 C to +175 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | HEXFET (IR MOSFET) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |