BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRFR5305TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC060P03NS3EGATMA1 tarafından Infineon ve IRFR5305TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC060P03NS3EGATMA1 | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | -55 C to +175 C |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | HEXFET (IR MOSFET) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |