BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC070N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC070N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 C to +150 C —
पैकेज PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध