BSC0901NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0901NSATMA1 द्वारा Infineon और BSC0902NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0902NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0902NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0901NSATMA1 BSC0902NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55C to +150C (Tj)
पैकेज TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
RoHS स्थिति Compliant —
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
हैलोजन फ्री — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

डेटाशीट और संसाधन

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