BSC0901NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC0901NSATMA1 bằng Infineon và BSC0902NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0902NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0902NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC0901NSATMA1 BSC0902NSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55C to +150C (Tj)
Hộp TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
Trạng thái RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Đông trùng haogen — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá