BSC0901NSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0901NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC0901NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 2.0 mOhm typical —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V max —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W 69 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C -55C to +150C
पैकेज PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 8 —
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

डेटाशीट और संसाधन

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