BSC0902NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0902NSATMA1 द्वारा Infineon और BSC016N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC0902NSATMA1 | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| RDS(on) @ VGS=10V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC qualified for target applications | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free lead plating) | — |
| हैलोजन फ्री | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | — | 30 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.6 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 71 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 139 W |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 |