BSC0902NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0902NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0902NSATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
RoHS Durumu — Compliant
Gate Drive (recommended) — 10 V
Technology — OptiMOS™ 5

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin