BSC0921NDIATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0921NDIATMA1 द्वारा Infineon और BSC097N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0921NDIATMA1 BSC097N06NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS 5 (Trench)
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: IDM peak value]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
पैकेज PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +150C (junction) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per Infineon OptiMOS family) 1 (Unlimited)
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +150C
पैकेज / केस — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

डेटाशीट और संसाधन

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