BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC098N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC190N15NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 - 100V 60A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC098N10NS5ATMA1 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 60 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 9.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-] | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 69 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 63 A (Tc=25C) | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 240 A (Tc=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) typ | 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) max | 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| Shipping Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |