BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC123N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC033N08NS5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC123N08NS3GATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | 55 A | — |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | 11 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | 12.3 mOhm | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Power Dissipation (Tc) | 66 W | 136 W |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant with exemption | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5) |