BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC123N08NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC033N08NS5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC123N08NS3GATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | 55 A | — |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | 11 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | 12.3 mOhm | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Power Dissipation (Tc) | 66 W | 136 W |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant with exemption | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5) |