BSL308PEH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP316PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSL308PEH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| पैकेज | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Configuration | Dual, common source | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| पिन की संख्या | 6 | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Technology | — | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |