BSP135H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP135H6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | 1.8 W (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V (max) |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | OptiMOS (enhancement mode) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C (junction) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |