BSP135H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP135H6327XTSA1 bằng Infineon và BSP315PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP135H6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | 1.8 W (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V (max) |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | OptiMOS (enhancement mode) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C (junction) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |