BSS123NH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS123NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS126H6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS123NH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
पैकेज PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (junction, typical)
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
पिन काउंट — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes (Infineon 'green' package)

डेटाशीट और संसाधन

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