BSS138NH6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138NH6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS138NH6327XTSA2 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 60 V | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.5 ohm | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 230 mA | — |
| Power Dissipation (Ta) | 360 mW | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] | — |
| पैकेज | PG-SOT-23 (3-pin) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55 °C to +150 °C |
| Gate-Source Voltage V_GS max | ±20 V | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| Marking Code | [DATA_NEEDED: top-side marking code] | — |
| Packaging | Tape and Reel | Tape & Reel (T/R) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| पैकेज / केस | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |