BSS138NH6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS138NH6327XTSA2 توسط Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS138NH6327XTSA2 BSS308PEH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
بسته‌بندی PG-SOT-23 (3-pin) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55 °C to +150 °C
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
بدون هالوژن Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel Tape & Reel (T/R)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
نوع ترانزیستور — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
بسته‌بندی / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
تعداد پین‌ها — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
وضعیت RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت