BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS314PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS316NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS314PEH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
पैकेज PG-SOT23-3 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
MSL स्तर MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

डेटाशीट और संसाधन

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