BSS84PH6327XTSA2 vs IRLML5103TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS84PH6327XTSA2 द्वारा Infineon और IRLML5103TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS84PH6327XTSA2 | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS84PH6327XTSA2 | — |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 8 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| पैकेज | PG-SOT23 (SOT-23-3) | Micro3/SOT-23 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C | 175 C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Technology Family | SIPMOS OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel Enhancement Mode | P-Channel |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Technology | — | IR MOSFET |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Footprint | — | SOT-23 |