BSS84PH6327XTSA2 vs IRLML5103TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS84PH6327XTSA2 tarafından Infineon ve IRLML5103TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS84PH6327XTSA2 | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS84PH6327XTSA2 | — |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 8 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Paket | PG-SOT23 (SOT-23-3) | Micro3/SOT-23 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C | 175 C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Technology Family | SIPMOS OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel Enhancement Mode | P-Channel |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Transistor Türü | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Technology | — | IR MOSFET |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Footprint | — | SOT-23 |