BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ017NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon और BSC014N04LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ017NE2LS5IATMA1 BSC014N04LSTATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W 3 W
Power Dissipation (TC) 50 W 115 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +150°C —
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC014N04LSTATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +150°C
पिन काउंट — 8
MSL स्तर — MSL1
Lead-Free — Yes

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