BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ036NE2LSATMA1 द्वारा Infineon और BSZ024N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |