BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ036NE2LSATMA1 מאת Infineon ו BSZ024N04LS6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| מארז | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Configuration | Single | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| רמת MSL | 1 (Unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +175°C |