CY14B101KA-ZS45XI vs CY14B101KA-ZS25XI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना CY14B101KA-ZS45XI द्वारा Infineon और CY14B101KA-ZS25XI द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | CY14B101KA-ZS45XI | CY14B101KA-ZS25XI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | nvSRAM (nonvolatile SRAM) with RTC | nvSRAM (Non-Volatile SRAM) with RTC |
| Density | 1 Mbit (1049 kbits) | 1 Mbit (1024 kbit) |
| संगठन | 128K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 45 ns | 25 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 3 V (2.7 V to 3.6 V range class) | 2.7 V to 3.6 V (nominal 3 V) |
| इंटरफ़ेस | Parallel (SRAM-compatible) | Parallel |
| Data Retention | 20 years | — |
| Real-Time Clock | Yes, integrated with backup | — |
| Technology | CMOS with QuantumTrap nonvolatile elements | QuantumTrap non-volatile elements |
| पैकेज | 44-pin TSOP II | 44-TSOP II |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C (industrial, XI suffix) | -40C to +85C (industrial) |
| RoHS स्थिति | Compliant | RoHS compliant (per package marking ZS25XI) |
| Package Standard | MO-119, SOIC-family TSOP II outline | — |
| Endurance (SRAM reads/writes) | Unlimited | — |
| Nonvolatile Store Endurance | [DATA_NEEDED: store endurance cycles] | — |
| Active Supply Current | [DATA_NEEDED: ICC active] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ISB standby] | — |
| Store Cycles | — | [DATA_NEEDED: store cycle endurance] |
| SRAM Read/Write Endurance | — | Unlimited |
| RTC | — | Yes, with alarm and external 32.768 kHz crystal |
| Automatic STORE | — | Yes, on power fail via VCAP |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |