CY14V104LA vs CY14V104LA-BA25XIT तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना CY14V104LA द्वारा Infineon और CY14V104LA-BA25XIT द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
CY14V104LA CY14V104LA - 4Mb Parallel nvSRAM 3.3V 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA - 4Mb Parallel nvSRAM 3.3V 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA ✓ सक्रिय
Infineon
CY14V104LA-BA25XIT CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर CY14V104LA CY14V104LA-BA25XIT
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) —
मेमोरी प्रकार Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (non-volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 25 ns
इंटरफ़ेस Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
पैकेज 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6x10 mm), TFBGA
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +85 C (industrial) —
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] 20 years
RoHS स्थिति Compliant Compliant
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
मेमोरी आकार — 4 Mbit
संगठन — 512K x 8
Core Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
I/O Supply Voltage (VCCQ) — 1.65 V to 1.95 V
STORE Cycles — 1 million
Read/Write/RECALL Cycles — Infinite
AutoStore — Yes (external VCAP 61 uF to 180 uF)
Non-volatile Technology — QuantumTrap
Temperature Grade — Industrial

डेटाशीट और संसाधन

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