EP1C3T100C8 vs EP1C3T100C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1C3T100C8 द्वारा Intel और EP1C3T100C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1C3T100C8 | EP1C3T100C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | NRND |
| Family | Cyclone I | Cyclone I |
| Core Process | 0.13 µm SRAM | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.5 V | — |
| Logic Elements | 2,910 LEs | 2,910 |
| Total RAM Bits | 59,904 bits | — |
| M4K RAM Blocks | 13 (4 Kbit each) | 13 |
| Embedded Multipliers | Not present on EP1C3 | — |
| PLLs | 1 general-purpose PLL | 1 |
| Global Clock Networks | 8 | — |
| User I/O Pins | 65 | — |
| पैकेज | TQFP-100 (14x14 mm) | 100-pin TQFP (T100) |
| Speed Grade | -8 (commercial) | -7 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to +85 °C (Commercial) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Modes | AS, PS, JTAG | — |
| I/O Standards | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lifecycle | EOL per PDN1810 (since 2019) | — |
| Embedded RAM Bits | — | 58,896 |
| Maximum User I/O | — | 65 |
| Lead Pitch | — | 0.5 mm |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Process Technology | — | 0.13 µm SRAM |
| Configuration Method | — | Serial (EPCS1/EPCS4) or JTAG |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL-2, SSTL-3 |