EP1C3T100C8 vs EP1C3T100C7N Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP1C3T100C8 tarafından Intel ve EP1C3T100C7N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | EP1C3T100C8 | EP1C3T100C7N |
|---|---|---|
| Marka | Intel | Intel |
| Kategori | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | NRND |
| Family | Cyclone I | Cyclone I |
| Core Process | 0.13 µm SRAM | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.5 V | — |
| Logic Elements | 2,910 LEs | 2,910 |
| Total RAM Bits | 59,904 bits | — |
| M4K RAM Blocks | 13 (4 Kbit each) | 13 |
| Embedded Multipliers | Not present on EP1C3 | — |
| PLLs | 1 general-purpose PLL | 1 |
| Global Clock Networks | 8 | — |
| User I/O Pins | 65 | — |
| Paket | TQFP-100 (14x14 mm) | 100-pin TQFP (T100) |
| Speed Grade | -8 (commercial) | -7 |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to +85 °C (Commercial) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Modes | AS, PS, JTAG | — |
| I/O Standards | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lifecycle | EOL per PDN1810 (since 2019) | — |
| Embedded RAM Bits | — | 58,896 |
| Maximum User I/O | — | 65 |
| Lead Pitch | — | 0.5 mm |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Process Technology | — | 0.13 µm SRAM |
| Configuration Method | — | Serial (EPCS1/EPCS4) or JTAG |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL-2, SSTL-3 |