EP1C3T100C8 vs EP1C3T100C7N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP1C3T100C8 מאת Intel ו EP1C3T100C7N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP1C3T100C8 | EP1C3T100C7N |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | NRND |
| Family | Cyclone I | Cyclone I |
| Core Process | 0.13 µm SRAM | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.5 V | — |
| Logic Elements | 2,910 LEs | 2,910 |
| Total RAM Bits | 59,904 bits | — |
| M4K RAM Blocks | 13 (4 Kbit each) | 13 |
| Embedded Multipliers | Not present on EP1C3 | — |
| PLLs | 1 general-purpose PLL | 1 |
| Global Clock Networks | 8 | — |
| User I/O Pins | 65 | — |
| מארז | TQFP-100 (14x14 mm) | 100-pin TQFP (T100) |
| Speed Grade | -8 (commercial) | -7 |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to +85 °C (Commercial) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Modes | AS, PS, JTAG | — |
| I/O Standards | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lifecycle | EOL per PDN1810 (since 2019) | — |
| Embedded RAM Bits | — | 58,896 |
| Maximum User I/O | — | 65 |
| Lead Pitch | — | 0.5 mm |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Process Technology | — | 0.13 µm SRAM |
| Configuration Method | — | Serial (EPCS1/EPCS4) or JTAG |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL-2, SSTL-3 |