EP1K30FC256-1 vs EP1K10FC256-1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1K30FC256-1 द्वारा Intel और EP1K10FC256-1 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1K30FC256-1 | EP1K10FC256-1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | NRND |
| Family | ACEX-1K | ACEX-1K |
| Logic Elements | 17,280 | 576 |
| Typical Gates | 30,000 | 10,000 |
| Logic Cells | 1,728 | — |
| Embedded RAM Bits | 24,576 | — |
| User I/O Pins | 171 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 216 | — |
| Embedded Array Blocks (EABs) | 6 | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 2.5 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 3.3 V / 2.5 V (multi-voltage) | — |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to +70C) | — |
| Speed Grade | -1 (standard, slowest in family) | -1 |
| Maximum Internal Frequency | 250 MHz (per family datasheet) | — |
| Process Technology | 2.5 V CMOS | 0.22 µm CMOS, SRAM-based |
| पैकेज | 256-pin FineLine BGA (FBGA) | 256-ball FBGA (FineLine BGA), 1.0 mm pitch |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | — |
| Configuration Interface | Passive Serial / Passive Parallel / JTAG | — |
| Programming Method | SRAM-based, in-system programmable | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Maximum User I/Os | — | 136 |
| Embedded Memory (EAB RAM) | — | 12,288 bits |
| Number of EABs | — | 3 (each 4 kbit) |
| Core Voltage | — | 2.5 V |
| I/O Voltage Tolerance | — | 3.3 V / 2.5 V LVTTL/LVCMOS compatible |
| Internal Operating Frequency | — | Up to 250 MHz |
| Pin/Ball Count | — | 256 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +85°C (Commercial) |
| Configuration Method | — | JTAG (IEEE 1149.1) / EPC series boot PROM |