EP1S10F780I6N vs EP1S10F780C6N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1S10F780I6N द्वारा Intel और EP1S10F780C6N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP1S10F780I6N EP1S10F780C6N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND Obsolete
Family Stratix Stratix
Logic Elements 10,570 —
Logic Array Blocks (LABs) 1,057 —
User I/Os 426 —
Embedded RAM (Total) 920,448 bits —
M512 Blocks 94 (32 x 18 bits each) —
M4K Blocks 60 (128 x 36 bits each) —
M-RAM Blocks 1 (4 Kbit) —
PLLs 6 —
Clock Outputs 16 —
DSP Blocks 12 —
Transceiver Channels 12 (not populated on I6 speed grade) —
Core Voltage (VCCINT) 1.5 V —
I/O Voltage (VCCIO) 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V (per bank) —
Process Technology 0.13 µm CMOS 130 nm CMOS
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +100 °C (industrial) 0 C to +85 C (Commercial)
Speed Grade -6 (6.0 ns core clock period) —
पैकेज 780-ball FineLine BGA, 29 x 29 mm, 1.0 mm pitch FBGA-780 (29 x 29 mm, 1.0 mm pitch)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 3 (168 hours) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Non-compliant (LEAD FR finish per AiPCBA datasheet)
Configuration Modes Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG —
Logic Family CMOS CMOS
Supply Voltage Nominal 1.5 V —
Logic Elements (LEs) — 10,570
Configurable Logic Blocks (CLBs) — 1,200
Embedded Memory — 920 Kbit (TriMatrix)
Core Supply Voltage — 1.5 V
I/O Supply Voltage — Multi-voltage (3.3 V / 2.5 V / 1.8 V LVTTL/LVCMOS, LVDS)
Maximum Internal Clock Frequency — 450.05 MHz
Pin / Ball Count — 780
User I/O Count — 426 (per FindIC)
Configuration Interface — JTAG (IEEE 1149.1), Passive Serial, Fast Passive Parallel, Passive Parallel Asynchronous
Lead Finish — SnPb (LEAD FR / non-RoHS variant)

डेटाशीट और संसाधन

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