EP2C8T144C6N vs EP2C8T144C7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP2C8T144C6N द्वारा Intel और EP2C8T144C7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP2C8T144C6N | EP2C8T144C7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Family | Cyclone II | Cyclone II |
| Logic Elements | 8,256 | — |
| Total RAM Bits | 165,888 | 165,888 |
| Number of LABs/CLBs | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Number of Logic Elements / Cells | 8,256 | — |
| Total Memory Bits | 165,888 | — |
| Number of I/O | 85 | — |
| Number of Multipliers (18x18) | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] | — |
| Number of PLLs | [DATA_NEEDED: PLL count] | — |
| Voltage - Supply | 1.15 V to 1.25 V (core) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (Commercial, 'C' speed grade) |
| पैकेज / केस | 144-LQFP (TQFP) | — |
| Supplier Device Package | 144-TQFP (20x20 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS SRAM | 90 nm CMOS, low-k dielectric |
| Configuration Method | SRAM - volatile (EPCS/JTAG required) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Contains lead / RoHS non-compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Logic Elements (LE) | — | 8,256 |
| Logic Array Blocks (LAB) | — | 516 |
| M4K Memory Blocks | — | 36 (4,608 bits each) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 18 |
| PLLs | — | 4 |
| Maximum User I/O | — | 85 |
| पैकेज | — | 144-LQFP (TQFP-144) |
| Core Voltage | — | 1.15 V to 1.25 V |
| I/O Voltage Support | — | 1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.0V / 3.3V |
| Configuration Modes | — | Active Serial, Passive Serial, JTAG |
| Speed Grade | — | 7 |