EP2C8T144C6N vs EP2C8T144C7 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP2C8T144C6N 제조: Intel 및 EP2C8T144C7 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP2C8T144C6N | EP2C8T144C7 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $14.20 | $28.75 |
| Family | Cyclone II | Cyclone II |
| Logic Elements | 8,256 | — |
| Total RAM Bits | 165,888 | 165,888 |
| Number of LABs/CLBs | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Number of Logic Elements / Cells | 8,256 | — |
| Total Memory Bits | 165,888 | — |
| Number of I/O | 85 | — |
| Number of Multipliers (18x18) | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] | — |
| Number of PLLs | [DATA_NEEDED: PLL count] | — |
| Voltage - Supply | 1.15 V to 1.25 V (core) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (Commercial, 'C' speed grade) |
| 패키지 / 케이스 | 144-LQFP (TQFP) | — |
| Supplier Device Package | 144-TQFP (20x20 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS SRAM | 90 nm CMOS, low-k dielectric |
| Configuration Method | SRAM - volatile (EPCS/JTAG required) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Contains lead / RoHS non-compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Logic Elements (LE) | — | 8,256 |
| Logic Array Blocks (LAB) | — | 516 |
| M4K Memory Blocks | — | 36 (4,608 bits each) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 18 |
| PLLs | — | 4 |
| Maximum User I/O | — | 85 |
| 패키지 | — | 144-LQFP (TQFP-144) |
| Core Voltage | — | 1.15 V to 1.25 V |
| I/O Voltage Support | — | 1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.0V / 3.3V |
| Configuration Modes | — | Active Serial, Passive Serial, JTAG |
| Speed Grade | — | 7 |