EP3C10F256C6 vs EP3C10F256C6N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C10F256C6 द्वारा Intel और EP3C10F256C6N द्वारा Altera. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C10F256C6 | EP3C10F256C6N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Altera |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements (LE) | 10,320 | 10,320 |
| Total Memory Bits | 423,936 bits | 423,936 bits |
| Embedded 18x18 Multipliers | 23 | 46 |
| PLLs | 2 | 2 |
| Maximum User I/Os | 182 | 182 |
| पैकेज | 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch) | 256-ball FineLine BGA (FBGA-256) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V) | 1.2 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | — |
| Configuration Memory | SRAM-based (external EPCS flash required) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C') | — |
| Speed Grade | 6 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free FBGA) | Compliant (lead-free N suffix) |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Embedded Memory (M9K blocks) | — | 46 blocks x 9 Kbit |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Process Node | — | 65 nm low power (TSMC) |
| Configuration Modes | — | JTAG, Active Serial (AS), Active Parallel (AP) |
| I/O Standards | — | LVTTL, LVCMOS, SSTL, LVDS, RSDS, mini-LVDS, PPDS |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0C to +85C (C6 speed grade, N = lead-free) |
| Programming Tool | — | Intel Quartus II (Cyclone III device support) |