EP3C40F780C6N vs EP3C40F780C7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C40F780C6N द्वारा Intel और EP3C40F780C7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C40F780C6N | EP3C40F780C7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | NRND |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 39,600 | — |
| Embedded Memory Bits | 1,161,216 | — |
| Embedded Memory (Kbytes) | 113 | — |
| M9K Memory Blocks | 126 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,065 | — |
| Maximum User I/O Pins | 535 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Process Technology | 60 nm CMOS | 60 nm TSMC low-power CMOS |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Speed Grade | 6 (commercial) | C7 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (Commercial) |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F780) |
| Package Dimensions | 29 x 29 mm | 29 x 29 mm |
| Ball Pitch | 1.0 mm | 1.0 mm |
| Package Height | 2.6 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (FBGA) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Configuration Method | SRAM, JTAG via USB-Blaster | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Logic Elements (LE) | — | 39,600 |
| Number of Logic Cells | — | 39,600 |
| Total Memory Bits | — | 1,161,216 bits |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 126 |
| Number of PLLs | — | 4 |
| User I/O Count | — | 535 |
| I/O Banks | — | 8 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V |
| Configuration | — | Active Serial / Passive Parallel (JTAG) |
| MSL स्तर | — | 3 (168 hours) |