EP3C80F780C7 vs EP3C40F780C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C80F780C7 द्वारा Intel और EP3C40F780C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C80F780C7 | EP3C40F780C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements (LE) | 81,264 | — |
| Embedded Memory Bits | 2,810,880 | — |
| Embedded Memory Blocks | M9K (9 Kbit each) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 244 | — |
| User I/O Pins | 429 | — |
| Phase-Locked Loops (PLLs) | 4 | — |
| Global Clock Networks | 20 | 20 |
| Process Technology | 65 nm CMOS, low-power | — |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| Configuration Scheme | SRAM, external flash (EPCS) | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| Speed Grade | C7 | 7 (C7, commercial) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Logic Elements | — | 39,600 LE |
| Total RAM Bits | — | 1,161,216 bits |
| Embedded Multipliers | — | 126 (18x18) |
| User I/Os | — | 535 |
| Process Node | — | 65 nm TSMC low-power |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Passive Serial |
| PLLs | — | 4 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Moisture Sensitivity Level | — | MSL3 (per J-STD-020) |