EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517I3N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260F1517C3N द्वारा Intel और EP3SE260F1517I3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517I3N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | Obsolete |
| Family | Stratix III E | Stratix® III E |
| Logic Elements | 254,400 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) | — |
| User I/Os | 976 | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 816 | — |
| M9K Memory Blocks | 1,040 | — |
| Maximum Transceiver Data Rate | 600 Mbps | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| पैकेज | 1517-BBGA (FCBGA) | 1517-ball FC-FBGA |
| Process Technology | 65 nm TSMC low-power CMOS | 65 nm |
| Speed Grade | C3 (commercial) | -3 (fastest) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 0 C to +85 C (commercial) | -40 °C to +100 °C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| External Memory Interfaces | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 | — |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,768 bits |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| User I/O Count | — | 976 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (I): -40 °C to +100 °C |
| Configuration Method | — | JTAG / Passive Serial / Active Serial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Internal Logic Performance | — | Up to 500 MHz |
| Memory Subsystems | — | M9K + M144K block RAM, DDR2/DDR3/QDR II+ controllers |
| DSP Blocks | — | Yes (dedicated multiply-accumulate) |