EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517I3N So sánh
So sánh chi tiết song song của EP3SE260F1517C3N bằng Intel và EP3SE260F1517I3N bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517I3N |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Intel | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Lần mua cuối | Obsolete |
| Family | Stratix III E | Stratix® III E |
| Logic Elements | 254,400 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) | — |
| User I/Os | 976 | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 816 | — |
| M9K Memory Blocks | 1,040 | — |
| Maximum Transceiver Data Rate | 600 Mbps | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Hộp | 1517-BBGA (FCBGA) | 1517-ball FC-FBGA |
| Process Technology | 65 nm TSMC low-power CMOS | 65 nm |
| Speed Grade | C3 (commercial) | -3 (fastest) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | 0 C to +85 C (commercial) | -40 °C to +100 °C |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| External Memory Interfaces | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 | — |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,768 bits |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| User I/O Count | — | 976 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (I): -40 °C to +100 °C |
| Configuration Method | — | JTAG / Passive Serial / Active Serial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Internal Logic Performance | — | Up to 500 MHz |
| Memory Subsystems | — | M9K + M144K block RAM, DDR2/DDR3/QDR II+ controllers |
| DSP Blocks | — | Yes (dedicated multiply-accumulate) |