EP3SE50F780C2G vs EP3SE50F780C4N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F780C2G द्वारा Intel और EP3SE50F780C4N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Intel
EP3SE50F780C2G EP3SE50F780C2G - Stratix III E FPGA 47.5K LE | Intel | 780-FCBGA

EP3SE50F780C2G - Stratix III E FPGA 47.5K LE | Intel | 780-FCBGA

EP3SE50F780C2G ⚠ अंतिम खरीद

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE50F780C2G EP3SE50F780C4N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति अंतिम बार खरीदें NRND
Series Stratix III E —
Logic Elements 47,500 LE —
Adaptive Logic Modules (ALMs) 19,000 ALM —
Logic Array Blocks (LABs) 1,900 LAB —
Embedded Memory 5.49 Mbit —
Maximum User I/Os 488 I/O 488
Number of Pins/Terminals 780 —
पैकेज 780-BBGA, FCBGA 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
Process Technology 65 nm —
Core Supply Voltage 1.1 V —
Minimum Supply Voltage 0.86 V —
Speed Grade C2 (commercial, moderate speed) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C 0C to +85C (C4 commercial grade)
माउंटिंग स्टाइल SMD/SMT —
Embedded Multipliers (18x18) 132 —
Family — Stratix III E
Logic Elements (LE) — 47,500
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount (BGA)
सप्लाई वोल्टेज — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
RoHS स्थिति — Lead-free / RoHS compliant
MSL स्तर — 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

डेटाशीट और संसाधन

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