EP4CGX110DF23I7N vs EP4CE115F23I7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX110DF23I7N द्वारा Intel और EP4CE115F23I7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX110DF23I7N | EP4CE115F23I7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV GX | EP4CE115 (F23 package) |
| Logic Elements | 109,424 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 6,839 | 7,180 |
| User I/O Pins | 270 | — |
| Embedded Memory | 4.4 Mbits (approximate) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Transceivers | Up to 3.125 Gbps embedded transceivers | — |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm low-power CMOS (TSMC) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Speed Grade | 7 | — |
| पैकेज | 484-ball FBGA, 23 x 23 mm, 1.00 mm pitch | 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch |
| Package Code | BGA (FBGA) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Configuration Memory | SRAM-based (volatile, requires external config device) | — |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | — | 114,480 |
| Embedded Memory Bits | — | 3,981,312 bits |
| Maximum User I/Os | — | 280 |
| Number of PLLs | — | 4 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 266 |
| Core Voltage | — | 1.0 V / 1.2 V |
| I/O Voltage Banks | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Active Parallel |
| MSL स्तर | — | 3 |
| Lead-Free | — | Yes |