EP4CGX50CF23C7 vs EP4CGX50CF23C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX50CF23C7 द्वारा Intel और EP4CGX50CF23C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX50CF23C7 | EP4CGX50CF23C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 49,888 | — |
| Logic Cells | 49,888 | — |
| Embedded Memory Bits | 2,562,048 bits | — |
| Embedded Memory Blocks | M9K blocks, 9 Kbit each | — |
| Maximum User I/O | 290 | — |
| पैकेज | 484-FBGA (F23) | 484-FBGA (F23, 23 x 23 mm) |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| Core Voltage | 1.2 V | 1.2 V |
| Process Technology | 60 nm | 60 nm TSMC low-power |
| Temperature Grade | Commercial (0C to +85C) | — |
| Speed Grade | C7 | C7 (commercial) |
| Transceivers | Integrated (Cyclone IV GX) | — |
| DSP Blocks | 18x18 hardware multipliers | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (lead-free) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (FBGA) | Surface Mount |
| Logic Elements (LE) | — | 49,888 |
| Embedded Memory (Bits) | — | 2,562,048 (2.5 Mb) |
| User I/O | — | 290 |
| Logic Array Blocks | — | 47 |
| Multi-Gigabit Transceivers | — | 4 channels up to 3.125 Gbps |
| Hard Memory Controllers | — | Yes (DDR/DDR2/QDRII/QDRII+/RLDRAM II) |
| I/O Voltage Standards | — | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL (1.2V-3.3V) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +85C (commercial) |
| Configuration Modes | — | JTAG, Active Serial (EPCS), Passive Serial, Fast Passive Parallel |