EP4CGX50DF23C7N vs EP4CGX50CF23C7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX50DF23C7N द्वारा Intel और EP4CGX50CF23C7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX50DF23C7N | EP4CGX50CF23C7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 49,888 | 49,888 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 3,118 | — |
| Total RAM Bits | 2,432 Kbit (≈ 304 KB) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 2 | — |
| Global Clock Networks | 8 (with up to 16 clock pins per region) | — |
| Number of I/O Pins | 290 | — |
| Transceivers | Up to 8 channels, 3.125 Gbps | Integrated (Cyclone IV GX) |
| Process Technology | 60 nm | 60 nm |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 °C to 85 °C (commercial) | — |
| पैकेज | 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm) | 484-FBGA (F23) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (FBGA) |
| Configuration Modes | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG | — |
| Supported Memory Interfaces | DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free variant) | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Logic Cells | — | 49,888 |
| Embedded Memory Bits | — | 2,562,048 bits |
| Embedded Memory Blocks | — | M9K blocks, 9 Kbit each |
| Maximum User I/O | — | 290 |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| Speed Grade | — | C7 |
| DSP Blocks | — | 18x18 hardware multipliers |