H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G4NAFR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gbit
संगठन 1G x 4 1G x 8 (x8)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
पैकेज FBGA-78 78-ball FBGA
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
इंटरफ़ेस Synchronous, differential clock CK_t/CK_c DDR4 (Double Data Rate 4)
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free) Compliant
हैलोजन फ्री Yes Yes
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 Rev. 1.2 / Jul. 2017
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
डेटा दर — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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