H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.30 $2.95
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gbit
메모리 구성 1G x 4 1G x 8 (x8)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
패키지 FBGA-78 78-ball FBGA
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
인터페이스 Synchronous, differential clock CK_t/CK_c DDR4 (Double Data Rate 4)
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free) Compliant
할로겐 프리 Yes Yes
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 Rev. 1.2 / Jul. 2017
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
데이터 속도 — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Lead-Free — Yes

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