H5AN8G6NAFR-VKC vs MT40A512M16JY-075E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NAFR-VKC द्वारा SK hynix और MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NAFR-VKC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| पैकेज | FBGA-96 (PBGA96) | 96-FBGA (8x14) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| डेटा दर | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |