H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NDJR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NDJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NDJR-UHC | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $55.68 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| पैकेज | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |