H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NDJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $34.60 $55.68
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 512M x 16 —
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (max 1.26 V)
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 96
パッケージ FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C 85 °C
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
メモリサイズ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x16
データレート — 3200 Mbps
Input/Output Type — COMMON
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

データシート&リソース

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